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NTTFS010N10MCLTAG
100V 50A
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- 描述
- 这是一款N沟道MOSFET，采用先进的POWERTRENCH工艺和屏蔽栅技术。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能和一流的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS010N10MCLTAG
- 商品编号
- C604494
- 商品封装
- WDFN-5(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.097714克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道POWETRENCH MOSFET采用了集成屏蔽栅技术的先进POWERTRENCH工艺制造。该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能和一流软体二极管的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 15 A时,最大rDS(on) = 10.6 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 12 A时,最大rDS(on) = 15.9 mΩ
- Qrr比其他MOSFET供应商低50%
- 降低开关噪声/电磁干扰
- MSL1坚固封装设计
- 100%进行UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-主DC-DC MOSFET-DC-DC和AC-DC中的同步整流器-电机驱动
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