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NTTFS015P03P8ZTAG
1个P沟道 耐压:30V 电流:47.6A
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- 描述
- 特性：超低导通电阻（RDS(on)），提高系统效率。 采用3.3x3.3mm先进封装技术，节省空间并具有出色的热传导性能。 无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电源负载开关保护：反向电流、过电压和反向负电压电池管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS015P03P8ZTAG
- 商品编号
- C604495
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 33.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.706nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 875pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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