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NTTFS015P03P8ZTAG

1个P沟道耐压:30V 电流:47.6A

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描述: 特性：超低导通电阻（RDS(on)），提高系统效率。采用3.3x3.3mm先进封装技术，节省空间并具有出色的热传导性能。无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电源负载开关保护：反向电流、过电压和反向负电压电池管理
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTTFS015P03P8ZTAG
商品编号: C604495
商品封装: WDFN-8(3.3x3.3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.107克(g)

商品参数

商品概述

连续电流425 A，标准电平栅极驱动，LFPAK88封装的N沟道增强型MOSFET。采用安世半导体独特的“肖特基增强”技术的NextPowerS3系列产品，可实现高效率和低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关，但不会出现高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率下的高效应用，以及高负载电流下的安全可靠开关。

商品特性

超低 RDS(on),提高系统效率
采用 3.3 x 3.3 mm 先进封装技术,节省空间且导热性出色
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准

应用领域

-电源负载开关-保护功能:反向电流、过电压和反向负电压保护-电池管理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	47.6A
	导通电阻(RDS(on))	7.5mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	33.8W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	-
	栅极电荷量(Qg)	37nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.706nF
	反向传输电容(Crss)	875pF
	工作温度	-55℃~+150℃