NVATS5A302PLZT4G
1个P沟道 耐压:60V 电流:80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVATS5A302PLZT4G
- 商品编号
- C604521
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 84W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
-60 V、13 mΩ、-80 A、P沟道 专为紧凑高效设计而打造的汽车功率MOSFET,具备出色的热性能。 该MOSFET通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件,适用于汽车应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 高电流承载能力
- 100%雪崩测试
- 通过AEC-Q101认证,可提供PPAP文件
- ATPAK封装与DPAK(TO - 252)引脚兼容
- 无铅、无卤且符合RoHS标准
应用领域
-反接电池保护-负载开关-汽车前照灯-汽车车身控制器