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NTMTS0D7N06CLTXG
耐压:60V 电流:477A
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- 描述
- 此 N 沟道 T6 60V MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 Power Trench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMTS0D7N06CLTXG
- 商品编号
- C604463
- 商品封装
- DFNW-8(8.4x8.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.436628克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 477A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.68mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 294.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 225nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(8x8 mm),适合紧凑设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低 QG 和电容,以最小化驱动损耗
- 采用行业标准的Power 88封装
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准