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NTMTS001N06CLTXG
60V 398.2A
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- 描述
- 特性：小尺寸（8x8mm），便于紧凑设计。 低导通电阻，以最小化传导损耗。 低栅极电荷和电容，以最小化驱动损耗。 采用Power 88封装，为行业标准。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMTS001N06CLTXG
- 商品编号
- C604460
- 商品封装
- DFNW-8(8.4x8.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.436628克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 398.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.81mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 244W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装（8x8 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- 采用行业标准的Power 88封装
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
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