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NTMFS6H800NLT1G
单通道N沟道功率MOSFET，小尺寸设计，低导通和驱动损耗，无铅且符合RoHS标准
- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS6H800NLT1G
- 商品编号
- C604455
- 商品封装
- SO-8FL-EP-5.8mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 224A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低 QG 和电容,以最小化驱动损耗
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准