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NTMFS5C673NLT1G
耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 功率 MOSFET 60V 50A 9.2 mΩ 单 N 沟道
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS5C673NLT1G
- 商品编号
- C604444
- 商品封装
- DFN-5(4.9x5.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.2mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用Maple semi的先进平面条纹DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 7.0A、650V，栅源电压VGS = 10V时，典型导通电阻RDS(on) = 1.2Ω
- 低栅极电荷（典型值25nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-高效开关模式电源-基于半桥拓扑的有源功率因数校正
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