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NTLJS17D0P03P8ZTAG
P沟道单功率MOSFET，-30V，WDFN6封装
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- 描述
- 功率 MOSFET，-30V 单 P 沟道，11.3mΩ，功率 Clip22 (WDFN2x2mm)
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTLJS17D0P03P8ZTAG
- 商品编号
- C604410
- 商品封装
- WDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.6mΩ@10V；21.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 530pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品特性
- 小封装尺寸(4 mm2),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 电池管理
- 保护电路
- 电源负载开关
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