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NTMFD5C680NLT1G
2个N沟道 耐压:60V 电流:7.5A 26A
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- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET，采用 5x6 mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFD5C680NLT1G
- 商品编号
- C604415
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A；26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W；19W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
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