温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NTMFD5C674NLT1G

2个N沟道耐压:60V 电流:11A 42A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET，采用 5x6 mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTMFD5C674NLT1G
商品编号: C604414
商品封装: DFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.58克(g)

商品参数

商品概述

325 A 连续电流、标准电平栅极驱动、采用 LFPAK88 封装的 N 沟道增强型 MOSFET。安世半导体（Nexperia）采用独特的 “肖特基增强（SchottkyPlus）” 技术的 NextPowerS3 系列产品，可实现通常与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关的高效率和低尖峰性能，同时不会出现高漏电流问题。NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效率应用，以及高负载电流下的安全可靠开关。

商品特性

小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
低 RDS(on),以最小化传导损耗
低 QG 和电容,以最小化驱动损耗
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准

应用领域

-无刷直流电机控制-高功率 AC-DC 应用中的同步整流器,如服务器电源-电池保护-eFuse 和负载开关-热插拔/浪涌电流管理

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	11A；42A
	导通电阻(RDS(on))	14.4mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	3W；37W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.2V
	栅极电荷量(Qg)	10nC@10V
	输入电容(Ciss)	640pF
	反向传输电容(Crss)	7.7pF
	工作温度	-55℃~+175℃