NTMFS4927NT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:7.9A 电流:38A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS4927NT1G
- 商品编号
- C604418
- 商品封装
- DFN-5(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.9A；38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 920mW；20.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 913pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
UniFET™ MOSFET 采用平面条纹和双极结型晶体管（DMOS）技术。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(on) = 160 mΩ（典型值），条件为栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 12
- 低栅极电荷（典型值65 nC）
- 低反向传输电容Crss（典型值35 pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 等离子电视
- 不间断电源
- 交直流电源
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