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NTLUS3A18PZTCG
NTLUS3A18PZTCG
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- 描述
- 功率 MOSFET -20 V，-8.2 A，单 P 沟道， 2.0x2.0x0.55 mm UDFN 封装
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTLUS3A18PZTCG
- 商品编号
- C604412
- 商品封装
- UDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 带外露漏极焊盘的UDFN封装，导热性能出色
- 低外形UDFN 2.0x2.0x0.55 mm封装，节省电路板空间
- 超低导通电阻RDS(on)
- 栅极有ESD二极管保护
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 针对便携式产品的电源管理应用进行优化，如手机、媒体平板、便携式媒体播放器、数码相机、全球定位系统等
- 电池开关
- 高端负载开关
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