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NTHLD040N65S3HF

1个N沟道耐压:650V 电流:65A

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTHLD040N65S3HF
商品编号: C604409
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合各种追求小型化和更高效率的电源系统。 SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管反向恢复性能经过优化，可省去额外元件并提高系统可靠性。

商品特性

700 V @ TJ = 150°C
典型RDS(on) = 32 mΩ
超低栅极电荷（典型Qg = 159 nC）
低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 1367 pF）
100%雪崩测试
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

应用领域

电信/服务器电源
工业电源
电动汽车充电器
不间断电源/太阳能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	65A
	导通电阻(RDS(on))	40mΩ@10V,32.5A
	耗散功率(Pd)	446W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	5V
	栅极电荷量(Qg)	159nC@10V
	输入电容(Ciss)	5.945nF@400V
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)