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NTHL050N65S3HF
NTHL050N65S3HF
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- 描述
- 技术文档和设计资源 模拟模型?(3) 封装图纸?(1) 数据表?(1)
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHL050N65S3HF
- 商品编号
- C604406
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 378W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.017nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。
因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。
SUPERFET III FRFET MOSFET优化了体二极管的反向恢复性能，可省去额外元件并提高系统可靠性。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 41 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg = 125 nC）
- 低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 1051 pF）
- 经过100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源-工业电源-电动汽车充电器-不间断电源/太阳能
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