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NTGS3136PT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:5.1A
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- 描述
- 特性：低RDS(on)，采用TSOP-6封装。 1.8V栅极额定值。 快速开关。 NV前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准。应用：优化用于便携式设备的电池和负载管理应用。 高端负载开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTGS3136PT1G
- 商品编号
- C604398
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.901nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TSOP-6封装,低导通电阻RDS(on)
- 1.8 V栅极额定电压
- 快速开关
- NV前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
- 专为便携式设备的电池和负载管理应用优化
- 高端负载开关
- 游戏机、拍照手机等的开关电路
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