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NTBG020N120SC1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTBG020N120SC1

1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:8.6A 电流:98A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTBG020N120SC1
商品编号
C604394
商品封装
TO-263-7​
包装方式
编带
商品毛重
1.88克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)8.6A;98A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@20V
耗散功率(Pd)3.7W;468W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.3V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)2.943nF
反向传输电容(Crss)24pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。多外延SJ MOSFET提供了一种具有极低开关、通信和传导损耗的器件,其高稳健性使谐振开关应用尤其可靠、高效、轻便且散热良好。

商品特性

  • 典型 RDS(on) = 20 m Ω
  • 超低栅极电荷 \left(QG(tot) = 220 nC\right)
  • 低电容高速开关 \left(C\text oss =258 pF\right)
  • 100%雪崩测试
  • TJ = 175℃
  • 符合RoHS标准

应用领域

-不间断电源(UPS)-直流-直流转换器(DC/DC Converter)-升压逆变器(Boost Inverter)

数据手册PDF