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NTD5C668NLT4G
1个N沟道 电流:48A 电流:15A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD5C668NLT4G
- 商品编号
- C604397
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A；48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.9mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款功率MOSFET采用Maple semi先进的平面条纹DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别优化，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 7.0A、700V，栅源电压为10V时，漏源导通电阻（典型值）=1.5Ω
- 低栅极电荷（典型值23nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-高效开关模式电源-基于半桥拓扑的有源功率因数校正
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