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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过专门优化，可最大程度降低导通电阻。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品特性
- 低 RDS(on)
- 高电流承载能力
- 经过100%雪崩测试
- 这些器件无铅、无卤素,符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC 降压转换器中的高端开关-笔记本电池电源管理-笔记本中的负载开关
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