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RC50N03D3
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- Trench Power LV MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC50N03D3
- 商品编号
- C5443940
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.108克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.504nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 283pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- N沟道：
- VDD = 30 V，ID = 36 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 13 mΩ，典型值：10 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 19 mΩ，典型值：14 mΩ
- P沟道：
- VDD = -30 V，ID = -28 A
- 当VGS = -10 V时，RDS(ON) < 15 mΩ，典型值：12 mΩ
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 20 mΩ，典型值：17 mΩ
- 获得无铅产品
- 高功率和电流处理能力
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理