温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RC50N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- RC50N03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC50N03
- 商品编号
- C5443958
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.422克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 50A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON)典型值为5.4 mΩ
- 当栅源电压VGS = 5V时,导通电阻RDS(ON)典型值为8 mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术,具备高静电放电ESD能力
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源