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RC45N10K
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
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- 描述
- 低导通电阻RDS(on)和品质因数FOM。极低的开关损耗。出色的稳定性和一致性。快速开关和软恢复
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC45N10K
- 商品编号
- C5443959
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.418克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 72W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.135nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
RC25P03S是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 RC25P03S符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS）保证，具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 100%易感性评估（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术