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RC80N03D5
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- N沟道先进模式功率MOSFET
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC80N03D5
- 商品编号
- C5443943
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 177pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 30V、80A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON)典型值为3.8mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON)典型值为6.9mΩ
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理