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RC3422
1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- RC3422是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要采用小外形表面贴装封装进行高端开关且降低在线功率损耗的电池供电电路
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC3422
- 商品编号
- C5443952
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
WSD40190DN56G采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 在 VGS = 10V 时,RDS(ON) ≤ 100mΩ
- 在 VGS = 4.5V 时,RDS(ON) ≤ 130mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 可进行铜线键合
- 60V/3A,在 VGS = 4.5V 时,RDS(ON) = 80mΩ(最大值)
- 在 VGS = 2.5V 时,RDS(ON) = 140mΩ(最大值)
- 超高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)
- 可靠且耐用
- 表面贴装封装采用 SOT23 - 3
- N 沟道 MOSFET
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统
- 负载开关
- 数码相机