RCP100N8F6A
1个N沟道 耐压:85V 电流:120A
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- 描述
- 特性:低栅极电荷。 开关速度快。 100%经过Rg测试。 100%经过雪崩测试。 100%经过热阻测试。 SGT工艺。应用:电池管理系统。 电机控制和驱动
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RCP100N8F6A
- 商品编号
- C5443954
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.664克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.374nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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