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RC25P03S
1个P沟道 耐压:30V 电流:25A
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- 描述
- RC25P03 S是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。RC25P03 S符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC25P03S
- 商品编号
- C5443948
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.168克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.2mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 358pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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