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RC02N10T3
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
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- 描述
- 特性：坚固可靠。 高密度单元设计，实现极低的RDS(on)。 表面贴装封装。 电压控制小信号开关。应用：小型伺服电机控制。 功率MOSFET栅极驱动器
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC02N10T3
- 商品编号
- C5443949
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.078克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@4.5V,0.17A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 29pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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