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RC03N06B
1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- 沟槽功率低压MOSFET技术 用于低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC03N06B
- 商品编号
- C5443950
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.078克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.55V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 451pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- N沟道
- 极低导通电阻RDS(on)
- 出色的热阻性能
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理