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RC4886
2个N沟道 耐压:100V 电流:8A
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- 描述
- RC4886 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。RC4886 符合 RoHS 标准，属于绿色环保产品。
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC4886
- 商品编号
- C5443946
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP3205系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种适用于广泛功率应用的高效器件。 TO - 220封装在所有商业 - 工业通孔应用中广受欢迎。低热阻和低封装成本使其成为全球流行的封装。
商品特性
- 提供环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术