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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RCK7106

1个N沟道 耐压:60V 电流:8A

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私有库下单最高享92折
描述
特性:BVdss = 60V。 ID = 12A。 RDS(ON) Typ. (at VGS = 4.5V) = 12mΩ。 低导通电阻。 高转换效率。 快速开关特性
商品型号
RCK7106
商品编号
C5443944
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.203克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)58nC@10V
输入电容(Ciss)2.25nF
反向传输电容(Crss)162pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

  • 分裂栅沟槽MOSFET技术
  • 出色的散热封装
  • 高密度单元设计,实现低 RDS(on)

商品特性

  • 漏源击穿电压(BVdss) = 60 V
  • 漏极电流(ID) = 12 A
  • 导通电阻(RDS(ON))典型值(栅源电压VGS = 4.5 V时) = 12 mΩ
  • 低导通电阻
  • 高转换效率
  • 快速开关特性

应用领域

  • 直流-直流转换器-电源管理功能-工业和电机驱动应用

数据手册PDF