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RCJ7008
1个P沟道 耐压:40V 电流:13A
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- 描述
- 特性：Vps = -40V。 ID = -13A。 RDS(on) < 15mΩ @ VGS = -10V。 RDS(on) < 18mΩ @ VGS = -4.5V。 高密度单元设计，实现超低Rdson。 完全表征雪崩电压和电流。 出色的封装，利于散热
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RCJ7008
- 商品编号
- C5443945
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -40 V
- 漏极电流(ID) = -13 A
- 栅源电压(VGS)=-10V时,导通电阻(RDS(on)) < 15mΩ
- 栅源电压(Vgs)=-4.5 V时,导通电阻(RDS(on))< 18 mΩ
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 封装散热性能出色
应用领域
- 负载开关
- DC/DC电源系统
- 负载点高频同步降压转换器