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RCJ7118实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RCJ7118

1个P沟道 耐压:30V 电流:36.1A

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描述
特性:VGS =-30V。 ID =-36.1 A。 RDS(on) < 12m。 RDS(on) < 19m。 VGS =-4.5V
商品型号
RCJ7118
商品编号
C5443941
商品封装
PDFN3.3x3.3-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.106克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)36.1A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V,12A
耗散功率(Pd)16W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)27.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.69nF
反向传输电容(Crss)293pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 100V、16A
  • VGS = 10V 时,RDS(ON) < 38 mΩ,典型值为 32 mΩ
  • VGS = 4.5V 时,RDS(ON) < 63 mΩ,典型值为 49 mΩ
  • 先进沟槽技术
  • 符合无铅产品要求
  • 出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷

应用领域

  • PWM 应用
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF