温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCP5901BDR2G
MOSFET驱动器，兼容VR12，同步降压
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- NCP5901B是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，专为驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极而优化。它能够驱动高达3 nF的负载，传播延迟为25 ns，转换时间为20 ns。自适应抗交叉导通和节能操作电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCP5901BDR2G
- 商品编号
- C603757
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 工作电压 | 4.5V~13.2V | |
| 上升时间(tr) | 16ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 8ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过压保护(OVP) | |
| 工作温度 | -10℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 3.4V | |
| 输入低电平(VIL) | 700mV | |
| 静态电流(Iq) | 12.2mA |
商品概述
NCP5901B是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，针对同步降压转换器中高端和低端功率MOSFET的栅极驱动进行了优化。它能够驱动高达3 nF的负载，传播延迟为25 ns，转换时间为20 ns。 自适应抗交叉导通和节能运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案。当栅极驱动器在过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）情况下检测到故障时，双向使能（EN）引脚可向控制器提供故障信号。此外，欠压锁定功能可确保在电源电压较低时输出为低电平。
商品特性
- 更快的上升和下降时间
- 自适应抗交叉导通电路
- 集成自举二极管
- 预过压功能
- 零电流检测（ZCD）
- 浮动顶部驱动器可承受高达35 V的升压电压
- 输出禁用控制可关闭两个MOSFET
- 欠压锁定
- 轻载条件下的节能运行
- 可直接与NCP6151和其他兼容的PWM控制器接口
- 热增强型封装
- 这些是无铅器件
应用领域
- 台式机应用