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CMD150N04A
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- 150N04A采用先进的技术和设计，提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光等领域的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD150N04A
- 商品编号
- C5371859
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V,28A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 低 RDS(on) 和品质因数（FOM）
- 出色的稳定性和均匀性
- 湿气敏感度等级 1 级
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 无卤
应用领域
- 电源管理-便携式设备