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CMB100N03B实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMB100N03B

1个N沟道 耐压:30V 电流:100A

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描述
100N03B 采用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻 (RDS(ON))。该器件适用于电源中的低压、高速开关应用。
商品型号
CMB100N03B
商品编号
C5371853
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.638克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))4mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)85nC
输入电容(Ciss)3.1nF
反向传输电容(Crss)250pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)300pF

商品概述

100N03B采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于电源中的低电压、高速开关应用。

商品特性

-驱动要求简单-开关速度快-导通电阻低

应用领域

-大电流、高速开关的DC-DC和DC-AC转换器-电机控制音频放大器-螺线管和继电器驱动器-汽车环境

数据手册PDF