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CMB60P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:60A
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- 描述
- 60P06采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB60P06
- 商品编号
- C5371857
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.637克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.5mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
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