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CMB30N10实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMB30N10

1个N沟道 耐压:100V 电流:30A

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描述
30N10是一款N沟道功率MOSFET。它经过专门设计,可将输入电容和栅极电荷降至最低。因此,该器件适用于先进的高效开关应用
商品型号
CMB30N10
商品编号
C5371856
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.644克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))33mΩ
耗散功率(Pd)145W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)55nC
输入电容(Ciss)1.5nF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)115pF

商品概述

40N10采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光源的升压转换器和同步整流器。

商品特性

  • 先进的工艺技术
  • 超低导通电阻
  • 动态dv/dt额定值
  • 175°C工作温度
  • 快速开关
  • 全雪崩额定
  • 无铅

应用领域

  • LED功率控制器
  • DC-DC和DC-AC转换器
  • 大电流、高速开关
  • 螺线管和继电器驱动器
  • 电机控制、音频放大器

数据手册PDF