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CMB100N04S
1个N沟道 耐压:40V 电流:80A
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- 描述
- 100N04S 是具有极高单元密度的 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB100N04S
- 商品编号
- C5371854
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.812克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@10V；9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品特性
-驱动要求简单-开关速度快-导通电阻低
应用领域
-LED电源控制器-DC-DC与DC-AC转换器-大电流、高速开关-电机控制、音频放大器