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CMA20N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
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- 描述
- 这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造，该技术经过专门优化，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源和有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMA20N50
- 商品编号
- C5337949
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 280W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
BSN20采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 50 V
- ID = 0.5 A
- RDS(ON) < 2 Ω@ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源