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CMSA006N12
1个N沟道 耐压:120V 电流:120A
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- 描述
- CMSA006N12采用先进技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适合用作低端通用场效应晶体管（FET）。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA006N12
- 商品编号
- C5337958
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 快速开关速度
- 较低的导通电阻
- 100%保证EAS
- 简单的驱动要求
应用领域
- 直流-直流转换器-负载开关-无刷直流电机驱动器