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SI4401BDY-T1-GE3
1个P沟道 耐压:40V 电流:13A 停产
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- 描述
- 特性：RDS(ON) < 15 mΩ @ VGS = 10 V（典型值11 mΩ）。 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)。 完全表征的雪崩电压和电流。 出色的散热封装。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- SI4401BDY-T1-GE3
- 商品编号
- C5337981
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
UTC 4N50是一款N沟道功率MOSFET，采用UTC先进技术，为客户提供平面条纹和DMOS技术。该技术可实现极低的导通电阻和卓越的开关性能。它还能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。 UTC 4N50通常应用于高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- RDS(ON)<15 m Ω,VGS=10 V(典型值11mΩ)
- 采用高密度单元设计,实现超低 Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 封装散热性能出色
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源