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CMF10N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- 10N65采用先进的平面条形DMOS技术，可实现出色的RDS(ON)和卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF10N65
- 商品编号
- C5337975
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 770mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@520V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
CMSB4807采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 65mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) = 85mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器开关-同步整流器-负载开关-DC/DC转换器
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