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IRFP250MPBF
耐压:200V 电流:30A
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- 描述
- 中压N沟道MOSF 200V30A 70毫欧
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- IRFP250MPBF
- 商品编号
- C5337980
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术制造，可实现低导通电阻（RDS(on)）和优化的漏源击穿电压（BVDSS）能力，在应用中提供卓越的性能优势。
商品特性
- 栅源电压为10 V时，最大漏源导通电阻 = 9 mΩ
- 栅源电压为4.5 V时，最大漏源导通电阻 = 11 mΩ
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器
- 电源