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CMD8447
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术制造，可实现低导通电阻RDS(on)和优化的漏源击穿电压BVDSS性能，从而在应用中提供卓越的性能优势。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD8447
- 商品编号
- C5337973
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V；11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品特性
- 在 VGS = 10 V 时,最大导通电阻 rDS(on) = 9 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V 时,最大导通电阻 rDS(on) = 11 m Ω
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器
- 电源