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CMD50P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻，适用于电源管理电路。典型应用包括PWM DC-DC转换器、便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、电池充电器、电信电源系统和电话电源系统）的电源管理。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD50P06
- 商品编号
- C5337966
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.85nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合用于电源管理电路。典型应用包括PWM DC-DC转换器、便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、电池充电器、电信电源系统和电话电源系统）的电源管理。
商品特性
- 驱动要求简单
- 导通电阻更低
- 100%保证EAS
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 笔记本电脑电源管理
- 负载开关