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IRF4905S
1个P沟道 耐压:60V 电流:90A
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- 描述
- IRF4905S采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下仍能提供出色的导通电阻RDS(ON)。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效且可靠的器件，适用于各种其他应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- IRF4905S
- 商品编号
- C5337969
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC | |
| 输入电容(Ciss) | 12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
50N06T是一款超高密度N沟道MOSFET，可为同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷性能。
商品特性
- P沟道
- 快速开关
- 符合RoHS标准
- 先进的制程技术
应用领域
- 逆变器
- 电机驱动
- 直流/直流转换器