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2SJ356
1个P沟道 耐压:60V 电流:3.5A
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- 描述
- 此MOSFET采用独特结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- 2SJ356
- 商品编号
- C5337971
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMSA019N12采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为开关电源(SMPS)、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 快速开关速度
- 较低的导通电阻
- 100%保证耐雪崩能力
- 驱动要求简单
应用领域
- 负载开关
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理