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CMSA035N06L
1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
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- 描述
- CMSA035N06L采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将功率转换应用中的损耗降至最低。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA035N06L
- 商品编号
- C5337961
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@4.5V,28A | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造，该技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 直流-直流转换器
- 开关稳压器
- 不间断电源（UPS）