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CMSC60P03
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- CMSC60P03将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。P沟道增强型MOSFET
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC60P03
- 商品编号
- C5337964
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
150N85是一款N沟道功率MOSFET。它专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，该器件适用于先进的高效开关应用。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 无铅
应用领域
- LED电源控制器-DC-DC和DC-AC转换器-大电流、高速开关-螺线管和继电器驱动器-电机控制、音频放大器