我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
CMSA80P06实物图
  • CMSA80P06商品缩略图
  • CMSA80P06商品缩略图
  • CMSA80P06商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMSA80P06

1个P沟道 耐压:60V 电流:80A

描述
CMSA08P06采用先进技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为开关电源(SMPS)中的低端场效应晶体管(FET)、负载开关及通用用途。
商品型号
CMSA80P06
商品编号
C5337962
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V,28A
耗散功率(Pd)95W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)7.6nF@30V
反向传输电容(Crss)291pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造,该技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供出色的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关电源和有源功率因数校正。

商品特性

  • 100%雪崩测试
  • 快速开关
  • 改善的dv/dt能力

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 开关稳压器
  • UPS(不间断电源)

数据手册PDF