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CMD80P04L
1个P沟道 耐压:40V 电流:80A
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- 描述
- P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻。该器件适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD80P04L
- 商品编号
- C5337953
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
WPM2015-HXY采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -5A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 45mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理